前面的电路是±2V的限幅电路，大于2V和低于-2V会被削顶。后面一图正向电压无法通过，反向时限幅-3V。
其发展先后经历了整流器时代、逆变器时代和变频器时代，并促进了电力电子技术在许多新领域的应用。八十年代末期和九十年代初期发展起来的、以功率MOSFET和IGBT为代表的、集高频、高压和大电流于一身的功率半导体复合器件，表明传统电力电子技术已经进入现代电力电子时代。
电子技术研究的是电子器件及其电子器件构成的电路的应用。半导体器件是构成各种分立、集成电子电路最基本的元器件。
随着电子技术的飞速发展，各种新型半导体器件层出不穷。现代电力电子技术的发展方向，是从以低频技术处理问题为主的传统电力电子学，向以高频技术处理问题为主的现代电力电子学方向转变。电力电子技术起始于五十年代末六十年代初的硅整流器件。
如图所示 前面的电路是±2V的限幅电路，大于2V和低于-2V会被削顶。后面一图正向电压无法通过，反向时限幅-3V
A、正负2V矩型波 B、幅度为3V梯型波
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