新的flash坏块占比多少合格

　　1. 区别
　　NOR特点芯片内执行(XIP,eXecute In Place)应用程序直接flash闪存内运行必再代码读系统RAM优点直接FLASH运行程序工艺复杂价格比较贵NOR传输效率高1～4MB容量具高本效益低写入擦除速度影响性能
　　NAND结构能提供极高单元密度达高存储密度并且写入擦除速度快应用NAND困难于flash管理需要特殊系统接口优点：存储容量且便宜缺点寻址直接运行程序能存储数据另外NAND FLASH 非容易现坏区所需要校验算
任何flash器件写入操作能空或已擦除单元内进行
（1）NAND器件执行擦除操作十简单NOR则要求进行擦除前先要目标块内所位都写1
（2）擦除NOR器件64～128KB块进行执行写入/擦除操作间5sNORFLASHSECTOR擦除间视品牌、同同比4MFLASHSECTOR擦除间60ms需要6S与相反擦除NAND器件8～32KB块进行执行相同操作需要4ms
（3）选择存储解决案设计师必须权衡各项素
　　●NOR读速度比NAND稍快些
　　●NAND写入速度比NOR快
　　●NAND4ms擦除速度远比NOR5s快
　　●数写入操作需要先进行擦除操作
　　●NAND擦除单元更相应擦除电路更少
（4）接口差别
　　NORflash带SRAM接口足够址引脚寻址容易存取其内部每字节
　　NAND器件使用复杂I/O口串行存取数据各产品或厂商能各相同8引脚用传送控制、址数据信息NAND读写操作采用512字节块点点像硬盘管理类操作基于NAND存储器取代硬盘或其块设备
（5）容量差别：
NORflash占据容量1～16MB闪存市场部NANDflash用8～128MB产品说明NOR主要应用代码存储介质NAND适合于数据存储
（6）靠性耐用性
－寿命(耐用性)
　　NAND闪存每块擦写数百万NOR擦写数十万NAND存储器除具10比1块擦除周期优势典型NAND块尺寸要比NOR器件8倍每NAND存储器块给定间内删除数要少些
－位交换
　　所flash器件都受位交换现象困扰位真改变必须采用错误探测/错误更(EDC/ECC)算位反转问题更见于NAND闪存使用NAND闪存候应使用EDC/ECC算用NAND存储媒体信息倒致命用本存储设备存储操作系统、配置文件或其敏信息必须使用EDC/ECC系统确保靠性
－坏块处理
　　NAND器件坏块随机布NAND器件需要介质进行初始化扫描发现坏块并坏块标记用已制器件通靠能进行项处理导致高故障率
（7）易于使用
　　非直接使用基于NOR闪存使用NAND器件必须先写入驱程序才能继续执行其操作向NAND器件写入信息需要相技巧设计师绝能向坏块写入意味着NAND器件自始至终都必须进行虚拟映射
（8）软件支持
NOR器件运行代码需要任何软件支持NAND器件进行同操作通需要驱程序内存技术驱程序(MTD)NANDNOR器件进行写入擦除操作都需要MTD
使用NOR器件所需要MTD要相少些许厂商都提供用于NOR器件更高级软件其包括M-SystemTrueFFS驱该驱WindRiverSystem、Microsoft、QNXSoftwareSystem、SymbianIntel等厂商所采用驱用于DiskOnChip产品进行仿真NAND闪存管理包括纠错、坏块处理损耗平衡
（9）掌电脑要使用NAND FLASH 存储数据程序必须NOR FLASH启除SAMSUNG处理器其用掌电脑主流处理器支持直接由NAND FLASH 启程序必须先用片NOR FLASH 启机器OS等软件NAND FLASH 载入SDRAM运行才行

　　2. 趋势
　　NOR Flash 产厂商 IntelST Nand Flash厂商HynixmiconSamsungToshibaFujitsu等
2006NAND占据59%闪存市场份额NOR市场份额降41%2009NAND市场份额升65%NOR市场份额进步滑35%
Nand 主要应用：CompacflashSecure Digi-talSmartmediaSDMMCXdPC CardUSB Sticks等
NOR传输效率高容量具高本效益更加安全容易现数据故障主要应用代码存储主与运算相关
目前NAND闪存主要用数码相机闪存卡MP3播放机两市场增非迅速NOR芯片主要用手机机顶盒两市场增速度相较慢
　　
　　
　　3. SamsungS3C2440能支持NAND FlashNOR Flash两种式启

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