BJT（即三极管）的基极至射极电压比较固定（PN结电压，硅 ：0.5~0.7；锗：0.2~0.3），集极电流由基极电流控制，形成一定比值（放大倍数）；MOS的栅极至源极电压可调整，注意不要超压导致烧毁，（一般为0~15V或0~－15V，视管子特性），栅源压差决定了漏极电流。
2.控制输出大电流时，BJT需要用较大的电流注入来控制（第1点中讲到的倍数关系），MOS则不需要，电压够就行。
3.MOS栅源间为高阻态，会产生电容效应，减慢了反应速度，而且在保存和使用中要注意静电防护，极易击穿。
一般说来C_B_E是对应了D_G_S，但用法不同。具体还有很多需要你自己去了解，记住在理论实操间往返多几次，就都明白了。
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