TFT器件主要有a-Si（非晶硅）和p-Si（多晶硅）两种，其中，p-Si处于起步和发展阶段，a-Si则应用比较广泛。TFT器件工作时，像一个电压控制的取向开关，当栅极G不施加电压时，TFT器件处于截止状态（关断状态），即源极S与漏极D不能接通，此时栅极G与源极S（或漏极D）之间的电阻称为关断电阻ROFF。由于栅极的漏电流极小或没有，所以，ROFF非常高，一般在107赘以上。当在栅极G上施加一个大于其导通电压的正电压时，由于电场的作用，TFT器件将处于导通状态，即源极S与漏极D接通，此时源极S与漏极D之间的电阻称为导通电阻RON，它随栅极电压的增加而减小。对于TFT器件，其源极S和漏极D的特性一样，功能可以互换，源极S和漏极D之间电流的方向随它们之间电场方向的变化而变化。源极和漏极是在应用电路中被定义的，一般将输入信号端称为源极S，将输出信号端称为漏极D。在TFT液晶显示屏中，一般将接数据驱动器端接TFT器件的源极S，像素端接TFT器件的漏极D。
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