数字电路，目前的工艺水平是：存储器18纳米、12纳米，逻辑电路22纳米。由于最近实现了技术突破，业界普遍认为摩尔定律还将有效，即：每18个月电路门的密度提高一倍。但瓶颈在于功耗。所以未来的技术发展趋势之一是多核。
国内的制造能力，并没有缩短与国外的差距；设计能力正在迅速提高，个别的领先公司已经能够追上国外同行的设计水平。
集成电路，从设计和工艺两个方面来看。设计上无论是技术还是工具软件都十分成熟，关键在于库的充实。工艺上是采用光刻技术，无论120纳米，90纳米，到现在的36纳米技术，最终都要受到光的物理性质的约束（光的衍射等），材料上民用上使用硅，军用上一般使用砷化镓。总的来说现在的集成电路已经十分成熟（国内还差些），不过还是受到设计技术、工艺技术和材料的制约。未来的集成电路会向体积更小，集成度更高，运算速度更快，能量消耗越少发展。（个人观点，仅供参考）
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