P沟道MOS管开关电路图：
MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。
1，如果是控制LED通断，可以选择N MOS管，把5V--电阻--LED--NMOS D---NMOSS对地，G为控制脚IN7002，此方法比较简单，而且IN7002是非常常用的管子，很便宜。
2，另外P MOSFET例如 AO4437，AO4435都可以
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