化学气相淀法，是将气态物质通过化学反应在硅片上上淀积薄膜材料的过程。而热氧化是用水蒸气和氧气借助氧化剂和表面硅形成氧化硅的过程，可以看出来化学气相淀积不与材料本身发生反应，而热氧化则会与材料本身发生反应。
我们在制备铌酸锂单晶薄膜的时候，这两种方式都可以用，最常用的是热氧化法制作。
