电阻与温度关系公式

电阻温度换算公式： R2=R1*(T+t2)/(T+t1) R2 = 0.26 x (235 +(-40))/(235 + 20)=0.1988Ω 

电阻温度系数（temperature coefficient of resistance 简称TCR）表示电阻当温度改变1度时，电阻值的相对变化，单位为ppm/℃（即10E（-6）/℃）。

实际应用时，通常采用平均电阻温度系数，定义式：TCR（平均）=(R2-R1)/R1（T2-T1）

有负温度系数、正温度系数及在某一特定温度下电阻只会发生突变的临界温度系数。

紫铜的电阻温度系数为1/234.5℃。

扩展资料

电阻和温度的关系：

1、不同类型电阻温度稳定性从优到次，依次为： 金属箔、线绕、金属膜、金属氧化膜、碳膜、有机实芯。

2、导体的电阻与温度有关。纯金属的电阻随温度的升高电阻增大，温度升高1℃电阻值要增大千分之几。碳和绝缘体的电阻随温度的升高阻值减小。

3、半导体电阻值与温度的关系很大，温度稍有增加电阻值减小很大。有的合金如康铜和锰铜的电阻与温度变化的关系不大。

参考资料来源：百度百科-电阻温度系数

1、电阻温度换算公式： R2=R1*(T+t2)/(T+t1) R2 = 0.26 x (235 +(-40))/(235 + 20)=0.1988Ω 。

计算值 80 A t1-----绕组温度 T------电阻温度常数(铜线取235，铝线取225) t2-----换算温度(75 °C或15 °C) R1----测量电阻值 R2----换算电阻值。

2、在温度变化范围不大时，纯金属的电阻率随温度线性地增大，即ρ=ρ0(1+αt)，式中ρ、ρ0分别是t℃和0℃的电阻率 ，α称为电阻的温度系数。多数金属的α≈0.4%。 

由于α比金属的线膨胀显著得多( 温度升高 1℃ ， 金属长度只膨胀约0.001%) ，在考虑金属电阻随温度变化时 ， 其长度 l和截面积S的变化可略，故R = R0 (1+αt)，式中和分别是金属导体在t℃和0℃的电阻。

3、电阻温度系数表示电阻当温度改变1度时，电阻值的相对变化，单位为ppm/℃。有负温度系数、正温度系数及在某一特定温度下电阻只会发生突变的临界温度系数。

当温度每升高1℃时，导体电阻的增加值与原来电阻的比值，叫做电阻温度系数，它的单位是1代，其计算公式为 α=(R2-R1)/R1(t2--t1) 式中R1--温度为t1时的电阻值。

Ω; R2--温度为t2时的电阻值，Ω。

扩展资料：

电阻和温度的关系：

导体的电阻与温度有关。纯金属的电阻随温度的升高电阻增大，温度升高1℃电阻值要增大千分之几。碳和绝缘体的电阻随温度的升高阻值减小。

半导体电阻值与温度的关系很大，温度稍有增加电阻值减小很大。有的合金如康铜和锰铜的电阻与温度变化的关系不大。

对于一个具有纯粹的晶体结构的理想金属来说，它的电阻率来自于电子在晶格结构中的散射，与温度具有很强的相关性。实际的金属由于工艺的影响，造成它的晶格结构不再完整。

例如界面、晶胞边界、缺陷、杂质的存在，电子在它们上面的散射形成的电阻率是一个与温度无关的量。因此，实际的金属电阻率是由相互独立的两部分组成。

电阻随温度变化的这几种情况都很有用处。利用电阻与温度变化的关系可制造电阻温度计，铂电阻温度计能测量—263℃到1000℃的温度，半导体锗温度计可测量很低的温度。

康铜和锰铜是制造标准电阻的好材料。

例如：电灯泡的灯丝用钨丝制造，钨的电阻随温度升高而增大，温度升高1℃电阻约增大千分之五。灯丝发光时温度约2000℃，所以，电阻值约增大10倍。

灯丝发光时的电阻比不发光时大得多，刚接通电路时灯丝电阻小电流很大，用电设备容易在这瞬间损坏。

参考资料来源：百度百科-电阻温度系数

电阻ρ与温度t(℃)的关系是ρt=ρ0(1+at)，式中ρt与ρ0分别是t℃和0℃时的电阻率。

已知材料的ρ值随温度而变化的规律后，可制成电阻式温度计来测量温度。半导体材料的α一般是负值且有较大的量值。制成的电阻式温度计具有较高的灵敏度。有些金属(如Nb和Pb)或它们的化合物，当温度降到几K或十几K(绝对温度)时，ρ突然减少到接近零，出现超导现象。

扩展资料：

电阻的注意事项：

1、电阻率ρ不仅和导体的材料有关，还和导体的温度有关。在温度变化不大的范围内：几乎所有金属的电阻率随温度作线性变化，即ρ=ρo(1+at)。式中t是摄氏温度，ρo是O℃时的电阻率，a是电阻率温度系数。

2、由于电阻率随温度改变而改变，所以对于某些电器的电阻，必须说明它们所处的物理状态。如一个220 V -100 W电灯灯丝的电阻，通电时是484欧姆，未通电时只有40欧姆左右。

3、电阻率和电阻是两个不同的概念。电阻率是反映物质对电流阻碍作用的属性，电阻是反映物体对电流阻碍作用的能力大小。

4、超导体的直流电阻率在一定的低温下突然消失，被称作零电阻效应。导体没有了电阻。

参考资料来源：百度百科—电阻率

电阻温度换算公式： R2=R1*(T+t2)/(T+t1) R2 = 0.26 x (235 +(-40))/(235 + 20)=0.1988Ω 

金属导体温度越高，电阻越大，温度越低，电阻越小。

超导现象:当温度降低到一定程度时，某些材料电阻消失。

t1-----绕组温度 T------电阻温度常数(铜线取235，铝线取225) t2-----换算温度(75 °C或15 °C) R1----测量电阻值 R2----换算电阻值。

在温度变化范围不大时，纯金属的电阻率随温度线性地增大，即ρ=ρ0(1+αt)，式中ρ、ρ0分别是t℃和0℃的电阻率 ，α称为电阻的温度系数。多数金属的α≈0.4%。 

由于α比金属的线膨胀显著得多( 温度升高 1℃ ， 金属长度只膨胀约0.001%) ，在考虑金属电阻随温度变化时 ， 其长度 l和截面积S的变化可略，故R = R0 (1+αt)，式中和分别是金属导体在t℃和0℃的电阻。

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高斯平面投影的特点：

①中央子午线无变形；

②无角度变形，图形保持相似；

③离中央子午线越远，变形越大。

在实际的测试中，我们发现对于相同的工艺过程，不同的测试结构会得到不同的电阻温度系数。为研究测试结构对电阻温度系数的影响，我们对铜工艺验证合格的不同技术节点的不同测试结构的电阻温度系数进行了总结。

电阻温度系数随着金属层宽度的增加而显著增加，当接近1um 时趋于稳定；在金属层的宽度相近时，金属层的厚度也对电阻温度系数具有显著的影响，厚度大时电阻温度系数也随之变大。测试结构金属层的界面尺寸共同对电阻温度系数产生影响。

对电阻温度系数的内在物理含义进行了详细论述，讨论了电阻温度系数与金属电迁移可靠性失效时间的关系，指出电阻温度系数是一个可以表征金属可靠性的敏感参数，可以利用简单快速的电阻温度系数测量来代替耗时几天乃至几个月的芯片级或封装级电迁移可靠性测试及对金属可靠性进行早期评估。

通过监测生产线电阻温度系数的稳定性，实现对金属可靠性进行在线快速监测。同时讨论了测试结构金属层的几何尺寸对电阻温度系数的影响，指出了运用电阻温度系数进行早期可靠性在线监测时需要避免测试结构的干扰。

参考资料来源：百度百科——电阻温度系数

1、电阻温度换算公式：
R2=R1*(T+t2)/(T+t1)
t1-----绕组温度
T------电阻温度常数（铜线取235，铝线取225）
t2-----换算温度（75 °C或15 °C）
R1----测量电阻值
R2----换算电阻值2、在温度变化范围不大时，纯金属的电阻率随温度线性地增大，即ρ＝ρ0（1＋αt），式中ρ、ρ0分别是t℃和0℃的电阻率 ，α称为电阻的温度系数。多数金属的α≈0.4％。 由于α比金属的线膨胀显著得多（ 温度升高 1℃ ， 金属长度只膨胀约0.001％） ，在考虑金属电阻随温度变化时 ， 其长度 l和截面积S的变化可略，故R ＝ R0 (1＋αt)，式中和分别是金属导体在t℃和0℃的电阻。3、电阻温度系数当温度每升高1℃时，导体电阻的增加值与原来电阻的比值，叫做电阻温度系数，它的单位是1代，其计算公式为
α=(R2-R1)/R1(t2--t1)
式中R1--温度为t1时的电阻值，Ω；
R2--温度为t2时的电阻值，Ω。